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电子元器件详细资料 » IC[28214] » SPB11N60S5
型号:SPB11N60S5类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C380 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225.5V @ 500µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs54nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1460pF @ 25V
功率_最大125W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装Digi-Reel®

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
深圳市翔睿腾科技有限公司李小姐/李先生/罗小姐/汪先生0755-83259954/0755-82701784
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
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